Board logo

标题: 姗姗来迟，鱼儿大片（未删减版） [打印本页]
作者: 怖鲑鲑    时间: 2009-11-12 14:21     标题: 姗姗来迟，鱼儿大片（未删减版）

　　CPU：

　　1 到底什么叫做主频？

　　有朋友知道主频=倍频X外频，但是主频的真正定义却并非如此，主频是指在1秒内所发射的指令（instruction）数目。

　　很多朋友知道主频并不能完全表示一款CPU的性能，因为指令这种东西本身是可以并行的（下几段我们会进一步探讨这个问题），而且还有缓存（cache）等等诸多因素。

　　外频和倍频的问题我请教了一些专业人员，这种技术在业内称为Multiclock Domain，其实就是将发射端口区域化（domain），为了和外部设备的频率想调和所引入的技术。

　　2 cache的浅谈

　　在谈cache的时候我们不得不提及内存，如果CPU需要的数据从内存中寻找，那么需要消耗的时钟周期是相当多的，这里影响的一个是发送read指令，另一个就是DDR本身的频率限制（下文会继续深入理解）造成的大量周期损失，所以为了减少这部分损失我们人为引入了cache。

　　PS：这里专业的叫法称之为局部性原理，并且分为时间局部性原理和空间局部性原理。

　　在谈这些东西之前我们还是得引入一些名词以便下文的深入思考。

　　引用：

　　组相联是cache的内存地址映射三种方式之一，另外两种映射方式为直接映射和全相联。

　　直接映射（direct mapping）是最简单的方式，每条cache-line都有固定对应的若干主内存地址。 全相联（fully associative）是主内存中任何地址的数据都可以存放在cache中的任何一条cache-line里。

　　组相联（Set-associative）是指数条cache-line被为安排一组，每组可以对应主内存中的若干固定地址。每组包含多少条cache-line，就是多少路相联度。

　　这些羞涩难懂的名词大家肯定是不喜欢的，但是因为”cache越大命中率越高“的认识深入人心，所以不得不提及。

　　如果大家仔细看CPU-Z，在cache一列中会说明某级的cache是几路的，正如上文的引用所说，这表现了cache中组相联的数量，这种相联可以增加单位容量cache的命中率（因为每组 cache line 对应的主内存地址更多），但是如果命中失效则等待的时钟周期优惠相当长

　　3 并行运算如何去实现？

　　说到并行，大家可能会用一般的理解方式去理解，也就是将一些数据横排，这样单位之间内通过的数据量会增多，这是一种比较简单的”并行“（parallel）概念，但是在CPU中的很多并行和这些数据并行的实现方法并非大相径庭。

　　首先我们需要回顾流水线（pipeline）的知识。流水线类似于一条生产链，让机器不间断生产，工作，因为其较高的效率被引入了CPU的涉及。我们举一个例子，一个没有流水线的CPU如果发射两个指令，那么首先除了取值，解码等工作外，指令会进入CPU 的 ALU（Arithmetic and Logic Unit，逻辑运算单元)当这个指令被完全处理完时，这时候第二个指令才会进入。因为ALU的处理能力是有限的，所以一个指令需要多个ALU穿起来，然会运算，第一个ALU运算一部分，之后将数据存储到寄存器（register）再由第二个ALU进行处理，这样的话第一个ALU在之后的时间都是闲置不工作的，这就造成了浪费。

　　而如果使用流水线进行处理，当第一个ALU处理完第一个指令的时候，第二个指令立刻被调用，然后再由第一个ALU处理，以此类瑞，形成流水线的工作方式。（但是其中还有很多指令具有非独立性和跳转的问题，这里不再继续讨论，似乎是很简单的东西）

　　那么我们所说的并行运算，实际上就是利用流水线的特性从而将指令并行（同时发射多个指令），我们称之为co-issue技术。

　　GPU：

　　1 manycore

　　很多人把一款显卡叫做单核心显卡，CF，SLI等技术的应用叫做双核心显卡。

　　实际上GPU的内部构架遵循manycore的方式，也就是多核心，为什么这么说呢？

　　首先看看单核心的CPU，单核心的CPU如果进行多任务处理的话，即使是使用乱序执行（out of order此技术的引入是为了减少指令独立所造成的流水线停顿）也必须处理完当前的任务之后才能进行下一个任务（换句话说因为线程单一所以正在处理的任务也是单一的）

　　再看看我们的GPU。

　　1 分离式结构

　　早期的设置，在像素着色器（Pixel shader）处理时，顶点着色器（Vertex shader）是闲置的，换句话说这两个着色器并不是一个core，所以不能称之为单核心。

　　2 统一结构

　　在流处理器（Stream Processor）处理任务是，有部分处理顶点，有部分处理像素，那么也就是说他们的时钟发射器并不匹配，所以并非单一线程，又何来单核心之说？

　　SLI，CF正确的叫法是多路，而不是多核心。

　　2 R600，700的流处理器数要除5？

　　很多杂志上都会说R600，R700采用超标量构架，所以流处理器的数量要除以5才可以和G80，G90相比较，其实在我看来这种观点是错误的。

　　首先要说一下什么叫做超标量构架，它指的是在同一时间内可以有多条指令在跑分离的数据项。

　　那么超标量在R600，R700中如何体现的呢？（其实我想贴图，但是网络上的图片多半没有表现出这种特性）

　　在 R600，R700 中一组流处理器（也可以称为矩阵）包含一个4D单元和一个1D单元（这里的D代表了单元的处理能力，1D是一次开平方运算，4D就是四次，4D是矢量 vector单元，1D是标量scalar单元，D也可以理解为ALU的长度），单位周期内会发射两个指令，1个给4D单元，一个给1D单元，这两个指令是独立了，也就是超标量中的分离，从而达到了超标量的设置。

　　我们反观G80，G90，它是由1D标量单元组成，1个单元对应一个发射端口，单位周期处理一个1D数据（3D，4D指令会拆分成1D指令，不过其实深入来看是将多个1D单元合并成mutil process多重处理单元也就是MP进行处理）

　　在R600中一共有64个阵列，也就是64*（4+1）个相对于1D性能的处理单元，而G80是128个（其他的构架大相径庭差别仅在数量）。

　　因为64个4D+1D单元的性能是标量1D单元的320倍，所以R600就被称为320个流处理器。但是如果是按照流处理器数量来看那也应该是64*（1+1），而不是那个5倍关系。

　　3 G80？SIMD，MIMD？

　　前段时间我一直在困扰这个问题，SIMD（Single Instruction Multiple Data单指令多数据），MIMD（Multiple Instruction Multiple Data 多指令多数据）到底如何去区分，现在通过和不少朋友讨论我稍微有一些理解了。

　　首先，因为GPU的顺序结构（in order），所以单个处理单元都是SIMD，而区分SIMD和MIMD就要看这个 multi是否实现。mutil的实现有很多方式，但关键是怎么去看待，这里没有标准的区分原则，比如上文中的MP就可以理解为multi，也可以理解为单一指令（因为同一时间内MP中的流处理器跑的步骤都是一样的）。

　　RAM：

　　DDR内存有何特点？

　　DDR2 800的实际频率是多少，可能很多DIYer告诉我是800/2=400，但实际上还忽略了其他的一些技术，其实DDR系列内存的实际频率多在200附近，这又是为什么呢？

　　数据预取（Prefetch data）：普通的SDRAM内存在一个时钟周期内只能进行一次操作，这个操作可以是读取（read）也可以是写入（write）；而在DDR中，最大的成功之处就是引入了数据预取概念，在 DRAM的内部，假如是读的操作过程，那么从指定储存单元取得的数据必须经过两个不同的操作：一个是通过DRAM内部的数据总线往外输出数据到芯片，另一个是通过读出放大器将数据写回到DRAM，达到恢复数据的目的。DRAM在内部时钟信号的触发下，一次传送8bit的数据，再分成两路4bit数据传给放大器，由放大器（Amplifiers）将它们合并为一路数据流，然后由发送器按照在外部时钟上升沿与下降沿(DIMM，dual in-line memory module双向输出信息）分两次传输4bit的数据原则，把数据传输给北桥。这样，如果时钟频率为100MHz，那么在I/O端口处，由于是上下沿触发，那么传输频率就是200MHz。

　　通过上面的解释我们可以理解，DDR内存是通过并行数据来达到高速的数据吞吐量的。

　　硬盘（温式）：

　　1 单碟容量至上？

　　很多朋友知道单碟容量是影响硬盘读取速度的影响之一，因为我们的硬盘基本都是角速度不变，如果单碟容量上升，一圈内滑过的数据量也便增多，所以从这个角度来看读取速度便会随着单碟容量的上升而上升，但是单碟容量增长并不意味着所有的性能都会上升，寻道时间就是一个比较有影响的指数，因为单碟容量的上升，数据的位置所需的精度更高，那么磁头想要读取便需要更长的时间，而我们的日常应用更多是注重寻道时间的。

　　2 未来的发展和期望

　　温式硬盘目前依然还有众多可以改进的地方，比如寻道算法，容量密度的提升，但是随着时间的流逝，这种传统的机械式硬盘肯定会被淘汰，但在一段时间内他依然是市场当中的活跃分子。

　　硬盘（固式）

　　1 SLC？MLC？

　　网络上经常谈及固态硬盘，而出现最多的名词就是SLC和MLC了，那么SLC，MLC又是什么呢？固态硬盘的储存介质NAND颗粒和半导体类似，依靠栅极控制源流导通或者闭合状态，利用0，1记录数据，而MLC是一个单元4个储存空间，为了区分4个单元就必须以差值更高的电压进行控制，而SLC是两个储存单元，需要的电压差较小（所以后者寿命要长）

　　2 固态硬盘的不足

　　首先颗粒的寿命较短

　　其次寿命成本较难控制（如果我们使用颗粒来组建大容量的固态硬盘，颗粒数量较多，那么对控制IC（简单的说是为了平摊数据的玩意）的要求就比较高了，当然也有类似冗余的 RAID，但这些都始终无法解决这个悖论，就是说容量和寿命上去了，价格会几乎程几何倍数上升，而且容量和寿命很难掌握平衡。）

　　最后就是很多硬盘厂家没有较为完整的固态硬盘生产链，所以更换成本较高，甚至放弃生产，阻碍了普及

　　3 未来与期望

　　固态硬盘并非未来唯一的高效储存方案，还有忆阻器，赛道内存与其相互竞争。我对其未来的个人看法如下

　　1 混合硬盘，集成NAND颗粒和传统物理硬盘，将一些小的，连续性的，缓存方面的放在NAND中，而主要数据依然在硬盘里

　　2 MID这类需要小体积的东东。

　　3 取代一般移动硬盘



欢迎光临 杰特论坛 (http://9et.cn/bbs/) Powered by Discuz! 7.1